دیتاشیت SI2303CDS-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | SI2303CDS-T1-GE3 |
---|---|
حجم فایل | 72.228 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 7 |
دانلود دیتاشیت SI2303CDS-T1-GE3 |
SI2303CDS-T1-GE3 Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI2303CDS-T1-GE3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 1W;2.3W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 8nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 155pF@15V
- Continuous Drain Current (Id): 2.7A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 190mΩ@10V,1.9A
- Package: SOT-23(TO-236)
- Manufacturer: Vishay Intertech